二氧化硅是一種重要的無機材料，在紅外光譜分析中具有廣泛的應用。紅外光譜是通過測量物質在紅外輻射區域的吸收和散射來研究其分子結構和化學特性的一種方法。
二氧化硅的紅外光譜測定主要基于其分子振動模式引起的吸收峰。在紅外光譜圖上，常見的吸收峰包括伸縮振動、彎曲振動和對稱拉伸振動等。
二氧化硅的主要吸收峰位于1000-1200cm^-1的區域，這些峰代表了硅氧鍵的伸縮振動。此外，還存在于800-1100cm^-1范圍內的Si-O-Si彎曲振動峰。這些振動模式提供了關于二氧化硅的分子結構和鍵合情況的信息。
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二氧化硅的紅外光譜測定的方法通常涉及將樣品制備成適當的形式，如固體薄片、顆粒或溶液，并利用紅外光譜儀進行測量。儀器通過向樣品施加紅外輻射，測量經過樣品后未被吸收的光的強度變化。
在進行紅外光譜測定時，需要注意一些因素。首先，樣品應該足夠純凈，以避免其他雜質對光譜結果的影響。其次，在選擇紅外輻射源和檢測器時，應根據所需的波長范圍和靈敏度進行合理選擇。此外，還需要校準儀器，并使用適當的參考物質進行光譜數據的分析和解釋。
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產品型號：FTIR920
更新時間：2025-09-03
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